Silicon wafer là gì




Bạn đang xem: Silicon wafer là gì

*
Điện thoại: +86-571-56772661
*
Thỏng điện tử: info


Xem thêm: Trẻ Sốt Phát Ban Cần Xử Trí Như Thế Nào? ? Dấu Hiệu Trẻ Bị Sốt Phát Ban


Trên hệ thống điện phương diện trời lưới năng lượng điện mặt trờiTắt khối hệ thống năng lượng mặt ttách lưới điệnHệ thống năng lượng mặt ttách hỗn hợp / lưu lại trữBảng tinh chỉnh và điều khiển tích điện mặt trờiPin Sạc khía cạnh ttách và Silinhỏ WaferInverterVật tư tích điện mặt trờiCấu trúc gắn đặtThiết bị chạy bằng tích điện khía cạnh trời


Xem thêm: Bạn Đã Biết Cách Đổ Bê Tông Dầm, Sàn, Mái Và Cầu Thang, Biện Pháp Thi Công Đổ Bê Tông Thủ Công

dsneg.com

*

Có tám bước để sản xuất pin mặt ttách tự tnóng silinhỏ mang đến xem sét ở đầu cuối của pin khía cạnh trời đã sẵn sàng chuẩn bị.

Cách 1: Kiểm tra wafer

Silicon wafer là chất có pin khía cạnh trời. Chất lượng của wafer silibé thẳng đưa ra quyết định kết quả biến hóa của pin phương diện ttránh, vì chưng vậy cần phải kiểm soát wafer silicon cho. Quá trình này đa số được sử dụng nhằm đo trực tuyến một trong những thông số kỹ thuật nghệ thuật của tnóng silicon, nhỏng ma xát bề mặt, tuổi tbọn họ tphát âm số, điện trlàm việc suất, các loại Phường / N cùng microcraông xã, v.v. Thiết bị bao hàm tự động tải với tháo tải, truyền wafer, tích hòa hợp khối hệ thống và tứ mô-đun phát hiện nay.

Trong số kia, máy phát hiện tại wafer silinhỏ quang quẻ điện phân phát hiện nay độ nhám bề mặt của wafer silicon, mặt khác phạt hiện tại các thông số mở ra nhỏng kích cỡ và đường chéo cánh của wafer silinhỏ. Mô-đun phạt hiện tại microcrachồng được thực hiện để phạt hiện những dấu nứt nhỏ bên phía trong của wafer silibé. Dường như, tất cả nhì mô-đun phát hiện nay, một trong các đó là mô-đun phân tách trực tuyến hầu hết kiểm soát điện trsống suất và loại wafer, cùng mô-đun cơ được áp dụng để kiểm soát tuổi thọ của wafer silinhỏ. Trước Lúc phạt hiện tuổi tchúng ta và điện trsinh sống tđọc số, đường chéo cùng microcraông xã của wafer silicon nên được phát hiện tại cùng wafer silibé bị lỗi bắt buộc được tự động hóa vứt bỏ. Thiết bị kiểm tra wafer rất có thể auto tải cùng toá wafer, với có thể đặt những sản phẩm không đủ tiêu chuẩn tại phần cố định, nhằm nâng cấp độ đúng chuẩn cùng công dụng của phân tách.

Cách 2: Hoạ huyết với làm sạch

Việc sẵn sàng mặt phẳng của da lộn silibé solo tinch thể là áp dụng sự làm mòn dị hướng của silicon để chế tạo ra thành hàng triệu cấu tạo hình chóp tứ mặt bên trên bề mặt silibé của từng centimet vuông. Do có tương đối nhiều sự bức xạ với khúc xạ của tia nắng cho tới trên bề mặt, sự dung nạp ánh sáng được tăng lên, với cái điện ngắn mạch với năng suất biến hóa của pin được cải thiện.

Dung dịch bào mòn dị hướng silic thường là dung dịch kiềm rét. Các bazơ tất cả sẵn là natri hydroxit, kali hydroxit, lithium hydroxit cùng ethylenediamine. Hầu hết trong các chúng ta áp dụng dung dịch trộn loãng natri hydroxit giá rẻ với độ đậm đặc khoảng tầm 1% nhằm chuẩn bị silinhỏ domain authority lộn, và ánh nắng mặt trời bào mòn là 70-85oC. Để đã đạt được domain authority lộn đồng bộ, các rượu nhỏng ethanol với isopropanol bắt buộc được cung ứng như các tác tự tạo phức để tăng tốc độ làm mòn silinhỏ. Trước Lúc chuẩn bị da lộn, wafer silicon cần trải qua sự bào mòn mặt phẳng ban sơ và khoảng chừng đôi mươi ~ 25 micron hóa học lỏng ăn mòn kiềm hoặc axit bắt buộc được áp dụng nhằm vứt bỏ nó. Sau khi domain authority lộn bị làm mòn, đề nghị thực hiện làm sạch mát hóa học nói chung. Các tnóng silibé được chuẩn bị bên trên mặt phẳng tránh việc được lưu trữ nội địa trong một thời gian lâu năm để ngnạp năng lượng đề phòng ô nhiễm.

Cách 3: Khuếch tán

Một Quanh Vùng rộng lớn của bổ ba PN là quan trọng nhằm tiến hành việc thay đổi tích điện tia nắng thành tích điện điện. Lò khuếch tán là một đồ vật quan trọng để phân phối vấp ngã bố PN của pin mặt ttách. Lò khuếch tán hình ống hầu hết bao gồm tứ phần: phần trên của thuyền thạch anh, phòng khí thải, phần thân lò và phần tủ khí. Đôi khi, mối cung cấp phospho oxychloride lỏng được áp dụng có tác dụng mối cung cấp khuếch tán. Tnóng silicon loại P được đặt vào thùng thạch anh của lò khuếch tán hình ống. Phospho oxychloride được chuyển vào thùng chứa thạch anh bởi nitơ sinh hoạt ánh sáng cao 850-- 900 độ C. Phospho oxychloride bội nghịch ứng với các tấm silibé nhằm thu được các nguyên tử phốt pho. Sau một thời hạn nhất quyết, những nguyên ổn tử phốt pho lấn sân vào lớp bề mặt của những tấm silicon trường đoản cú khắp chỗ và thấm vào những tnóng silicon trải qua khoảng cách thân những nguyên ổn tử silinhỏ, tạo thành thành điểm nối của chất phân phối dẫn một số loại n cùng hóa học phân phối dẫn một số loại p, rõ ràng là PN bổ cha. Ngã cha PN được tạo nên bằng phương pháp này còn có độ đồng các xuất sắc, độ không đồng phần đông của năng lượng điện trlàm việc khối nhỏ hơn 10% cùng tuổi tbọn họ thiểu số lớn hơn 10ms. Làm bửa ba PN là quá trình cơ bạn dạng và đặc trưng nhất vào sản xuất pin khía cạnh trời. Bởi do nó là việc sinh ra của tiếp ngay cạnh PN, cho nên vì vậy những electron cùng lỗ trống trong dòng rã sẽ không còn trsống về thuở đầu, cho nên vì thế sự sinh ra của một dòng điện, sử dụng một dây dẫn để dẫn cái năng lượng điện, là dòng năng lượng điện trực tiếp. Quá trình này được thực hiện vào tiếp tế cùng cấp dưỡng những tấm pin phương diện ttránh.

Cách 4: Cách ly và làm sạch cạnh

Bằng phương thức làm mòn hóa học, những tấm silinhỏ được ngâm vào dung dịch axit hydrofluoric để tạo thành làm phản ứng chất hóa học tạo nên thành axit hexafluorosilicic hòa hợp, để loại bỏ một tờ thủy tinh trong silic photpho sinh ra bên trên bề mặt của những tấm silinhỏ sau khoản thời gian khuếch tán. Trong quy trình khuếch tán, POCL3 bội nghịch ứng cùng với O2 nhằm làm ra và lắng đọng P2O5 bên trên bề mặt của wafer silicon. P2O5 phản ứng với Si nhằm tạo thành các nguim tử SiO2 cùng phốt pho. Theo biện pháp này, một tấm SiO2 đựng những nguyên ổn tố phốt pho được ra đời bên trên mặt phẳng của wafer silicon, được Call là chất thủy tinh phosphosilicon.

Các đồ vật đến chất liệu thủy tinh silibé phốt pho thường xuyên bao hàm thân sản phẩm công nghệ, bể có tác dụng không bẩn, hệ thống truyền rượu cồn servo, cánh tay cơ khí, khối hệ thống điều khiển điện với hệ thống phân phối axit auto, vv Các nguồn tích điện đó là axit hydrofluoric, nitơ, khí nén, nước tinh khiết, thải nhiệt độ và nước thải. Axit hydrofluoric hoàn toàn có thể hài hòa silica bởi vì axit hydrofluoric phản nghịch ứng cùng với silica chế tác thành khí tetrafluoride silic dễ bay tương đối. Nếu axit hydrofluoric quá mức cho phép, tetrafluoride silinhỏ sinh ra trường đoản cú bội phản ứng đang liên tiếp phản ứng cùng với axit hydrofluoric nhằm sinh sản thành axit hexafluorosilicic phối hợp.

Do quá trình khuếch tán, trong cả Lúc thực hiện khuếch tán ngược quay lại, toàn bộ các bề mặt bao gồm các cạnh của wafer silibé chắc chắn là sẽ tiến hành khuếch tán cùng với phốt pho. Các electron quang năng lượng điện được thu thập từ vùng trước của vấp ngã tía PN đang tan ra vùng sau của bửa bố PN dọc theo rìa của khu vực phốt pho, tạo ra đoản mạch. Do kia, silicon trộn tạp bao phủ pin mặt ttách phải được khắc để vứt bỏ mọt nối PN sống rìa của tế bào.

Plasma tự khắc hay được sử dụng nhằm xong xuôi quy trình này. Khắc plasma là một quá trình trong đó phân tử chị em của khí phản bội ứng CF4 bị ion hóa cùng tạo thành plasma sau sự kích ưa thích của năng lượng rf ở áp suất rẻ. Plasma bao hàm các electron với ion tích điện, khí trong phòng bội nghịch ứng bên dưới ảnh hưởng của electron, ko kể câu hỏi thay đổi thành các ion, Nhiều hơn có thể dung nạp tích điện cùng tạo thành một trong những lượng phệ những team vận động. Các đội phản bội ứng tiếp cận bề mặt SiO2 bởi khuếch tán hoặc dưới chức năng của điện trường, trong các số ấy bọn chúng tất cả phản bội ứng chất hóa học cùng với bề mặt vật tư xung khắc cùng sản xuất thành những thành phầm bội phản ứng bay khá thoát ra khỏi mặt phẳng vật tư bị bào mòn và được triết xuất từ bỏ khoang bởi khối hệ thống chân ko.

Bước 5: Lắng ứ ARC (Chống làm phản chiếu)

Độ bức xạ của bề mặt silibé được tiến công bóng của màng phòng phản bội chiếu mạ là 35%. Để sút bức xạ mặt phẳng với cải thiện hiệu suất đổi khác của pin, một tờ màng phòng bức xạ silicon nitride rất cần được được và lắng đọng. Ngày ni, sản phẩm công nghệ PECVD thường xuyên được áp dụng để sẵn sàng màng chống phản xạ trong phân phối công nghiệp. PECVD là lắng đọng khá chất hóa học tăng tốc plasma. Đó là nguyên lý kỹ thuật của plasma nhiệt độ rẻ được áp dụng làm mối cung cấp tích điện, mẫu bên trên pngóng điện cực âm bên dưới áp suất rẻ, thực hiện những mẫu đốt lạnh phát sáng mang đến nhiệt độ xác minh trước, kế tiếp truyền vào khí làm phản ứng SiH4 với NH3, khí thông qua 1 loạt các phản ứng chất hóa học và plasma, chế tác thành một màng rắn bên trên bề mặt mẫu mã là màng mỏng silibé nitride. Thông thường, các màng mỏng tanh được ngọt ngào bằng cách thức lắng đọng tương đối hóa học được tăng tốc plasma này dày khoảng tầm 70nm. Một bộ phim tất cả độ dày này là công dụng quang học. Sử dụng nguyên lý nhiễu màng mỏng mảnh, sự bức xạ tia nắng có thể sụt giảm tương đối nhiều, chiếc điện ngắn mạch cùng đầu ra của pin rất có thể được tăng lên không hề ít, với kết quả cũng hoàn toàn có thể được nâng cao.

Cách 6: In liên hệ

Các pin phương diện trời in màn hình hiển thị đã có được chế tạo thành vấp ngã cha PN sau khoản thời gian chế tạo ra gai, khuếch tán và PECVD cùng những quá trình không giống, rất có thể tạo nên cái điện bên dưới ánh nắng. Để xuất chiếc năng lượng điện được tạo nên, các năng lượng điện rất dương và âm rất cần được được triển khai bên trên bề mặt của pin. Có nhiều phương pháp để sản xuất năng lượng điện cực, với in lụa là quá trình thông dụng duy nhất để sản xuất điện cực pin phương diện ttránh. In màn hình hiển thị SỬ DỤNG phương thức dập nổi để in đồ họa được xác định trước trên đế.

Thiết bị bao hàm ba phần: in bạc dán nghỉ ngơi phương diện sau của pin, in nhôm dán làm việc khía cạnh sau của pin với in bạc dán nghỉ ngơi phương diện trước của pin. Ngulặng lý thao tác của chính nó là: sử dụng lưới đôi mắt lưới thông qua form size, cùng với một cái cạp theo size của lưới thép để sản xuất áp lực nhất định, trong những khi dịch rời về phía đầu cơ của lưới thnghiền. Mực có thể bóp được từ lưới của phần bối cảnh đến hóa học nền lúc nó di chuyển. Do độ nhớt của dán, vệt ấn được cố định vào một phạm vi một mực. Trong in ấn và dán, lắp thêm cạp luôn xúc tiếp con đường tính với tnóng in màn hình hiển thị cùng đế, và đường xúc tiếp di chuyển với lắp thêm cạp nhằm xong hành trình in.

Bước 7: Thiêu kết

Quá trình thiêu kết nkhô giòn sau khoản thời gian in screen của các tnóng silicon, không thể được thực hiện thẳng, cần phải thiêu kết bằng lò thiêu kết, đốt cháy nhựa hữu cơ, phần còn sót lại gần như là tinh khiết, bởi tác dụng của thủy tinh và ngay sát cùng với điện rất bạc trên những tấm silibé . lúc năng lượng điện rất bạc với silic tinc thể ở ánh nắng mặt trời ánh nắng mặt trời eutectic, những ngulặng tử silic tinch thể bao gồm phần trăm nhất quyết vào vật tư điện cực bạc nóng tan, chế tạo thành năng lượng điện cực xúc tiếp với ohmic, nâng cấp năng lượng điện áp mạch mở của tế bào với điền vào hai thông số chính, làm cho công năng kháng của chính nó, nhằm nâng cao hiệu quả thay đổi của pin mặt ttránh.

Lò thiêu kết được tạo thành bố giai đoạn: nung trước, thiêu kết cùng có tác dụng đuối. Mục đích của quá trình trước là nhằm phân hủy cùng đốt chất dính nối polymer vào bùn. Trong quy trình tiến độ thiêu kết, những phản bội ứng vật lý và chất hóa học khác biệt được xong xuôi trong cơ thể thiêu kết nhằm tạo thành thành cấu tạo màng năng lượng điện trlàm việc và tạo nên nó thực sự tất cả những công năng điện trlàm việc. Tại giai đoạn này, ánh sáng đạt đến đỉnh điểm. Trong quy trình tiến độ có tác dụng đuối cùng có tác dụng đuối, chất liệu thủy tinh nguội đi, cứng lại và hóa cứng nhằm kết cấu màng điện trlàm việc cố định và thắt chặt với mặt phẳng.

Bước 8: Kiểm tra và bố trí tế bào

Các pin mặt trời sẽ chuẩn bị để đính ráp được thí điểm trong ĐK tia nắng phương diện trời tế bào rộp cùng sau đó được phân nhiều loại cùng sắp xếp theo tác dụng của bọn chúng. Như vậy được cách xử lý bởi vì một máy bình chọn pin phương diện trời tự động soát sổ với sắp xếp những tế bào. Sau đó, các người công nhân nhà máy chỉ việc rút những ô khỏi kho lưu trữ tác dụng tương xứng nhưng mà đồ vật đã thu xếp các ô.

Pin Sạc khía cạnh ttách về cơ phiên bản trở thành một vật liệu mới kế tiếp được thực hiện nhằm đính ráp những mô đun PV phương diện trời. Tùy thuộc vào độ trơn tuột tru của quá trình sản xuất cùng quality vật tư wafer silicon cơ bạn dạng, công dụng sau cuối dưới dạng pin phương diện ttránh tiếp nối được phân loại thành những các loại chất lượng pin mặt trời khác nhau.

Thiết bị nước ngoài vi cùng điều kiện

Thiết bị ngoại vi vào quy trình chế tạo pin, cấp điện, cấp cho nước, thoát nước, hvac, chân ko, tương đối nước đặc biệt quan trọng với những sản phẩm nước ngoài vi không giống là cần thiết. Thiết bị phòng cháy chữa cháy cùng bảo đảm môi trường cũng khá đặc biệt nhằm đảm bảo an toàn và cải tiến và phát triển bền chắc.

Một dây chuyền sản xuất chế tạo pin phương diện ttránh có hiệu suất hàng năm là 50MW, chỉ gồm quá trình với nút tiêu thụ năng lượng điện của sản phẩm là khoảng 1800KW. Lượng nước tinc khiết cách xử trí là khoảng tầm 15T từng giờ, cùng unique nước là quan trọng nhằm thỏa mãn nhu cầu tiêu chuẩn chỉnh chuyên môn ew-1 của nước cấp năng lượng điện tử GB / t11446.1-1997 của Trung Hoa. Tiêu thú nước làm cho đuối của quá trình là khoảng chừng 15T mỗi tiếng, kích thước phân tử nội địa ko được vượt 10 micron và ánh sáng cấp cho nước đề xuất là 15-20oC. Lưu lượng chân ko khoảng chừng 300M3 / H. Nó cũng cần được khoảng trăng tròn mét khối nitơ với 10m khối oxy. Xem xét các nguyên tố bình an của các các loại khí đặc biệt quan trọng nhỏng silan, rất cần được tùy chỉnh một khoảng chừng khí đặc biệt quan trọng để đảm bảo an toàn cung ứng hoàn hảo. Bên cạnh đó, tháp đốt silane cùng trạm giải pháp xử lý nước thải cũng chính là cơ sở cần thiết mang đến thêm vào tế bào.


Chuyên mục: Blogs